第三代半導體器件具有優異的導熱、導電性能，在高溫、高頻、大功率、抗輻射集成電子器件領域有著廣泛的應用前景。
半導體(英語：Semiconductor)是一種電導率在絕緣體至導體之間的物質，半導體和絕緣體之間的差異主要來自兩者的能帶寬度不同。
產業上，半導體所謂的“代”的劃分，指的是依據材料劃分：
【第一代半導體】主要指的是以矽(Si)和鍺(Ge)作為材料的半導體器件。
【第二代半導體】指的是以砷化鎵(GaAs)和銻化銦(InSb)為主的化合物半導體。
【第三代半導體】包括了以碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶化合物半導體。碳化矽及氮化鎵在材料性能上各有優劣，因此在應用領域上各有側重及互補。
2.碳化矽晶片加工解決方案
在第三代半導體材料中，SiC具有禁帶寬度大、擊穿電場高、飽和電子漂移速度高、熱導率大等特點，可應用於1200伏特以上的高壓環境，因此在嚴苛環境中有著明顯優勢，可廣泛應用於新能源汽車、5G通訊、光伏發電、軌道交通、智慧電網、航空航太等現代工業領域。
然而，由於SiC晶體具有高硬、高脆、耐磨性好、化學性質極其穩定的特點，使得SiC晶片的加工變得非常困難。而金剛石是已知自然存在最堅硬的物質，最適合用來加工SiC晶片。
SiC單晶片的超精密加工工藝，按照其加工順序，主要經歷以下幾個過程：多線切割、雙面粗磨、雙面精磨、雙面化學機械拋光和Si面CMP。
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